В 2015 году IBM создала первый в мире 7-нанометровый чип, имеющий 20 млрд транзисторов. Теперь компания заявила, что разработала техпроцесс с нанослоями кремния, который позволят выпускать 5-нанометровые чипы.
По сравнению 10-нанометровыми чипами новая технология может обеспечить увеличение производительности на 40% при таком же энергопотреблении, или снижение энергопотребления на 75% при той же производительности.
Представленный чип использует новый тип транзисторов, называемый кремниевыми нанолистами. Они посылают электроны через четыре затвора, в отличие от транзистора FinFET, который посылает электроды через три затвора. Технология FinFET применяется в 22- и 14-нм полупроводниковых микросхемах, ожидается, что она останется в 7-нм чипах.
По словам вице-президента по исследованиям полупроводниковых технологий IBM Мукеша Харе (Mukesh Khare), полупроводниковая отрасль отходит от FinFET, поскольку технология не способна масштабироваться геометрически.
IBM уже более десяти лет изучает технологию транзисторных наносетей. Компания применяет технологию фотолитографии в глубоком ультрафиолете для изготовления транзисторов на основе наносетей – процесс, используемый и в 7-нм чипах.
Разработка велась совместно с компаниями GlobalFoundries и Samsung Electronics, которые объявили о первых рабочих образцах процессоров с транзисторами размером 5 нанометров на конференции VLSI Technology and Circuits в Японии.
«Переход на 5 нм - это существенная инновация, мы преодолели 10 и 7 нм, потому что все вычисления, в том числе гетерогенные, требуют этого для повышения эффективности или производительности, – уточнил Харе. – Эти разработки способствует продвижению отрасли вперед».
Ориентировочные сроки коммерческого выхода 5-нм микросхем — 2020 год.
